一、半导体超纯水核心监测指标：严苛标准保障生产

1. 电阻率：衡量水中离子含量，常温（25℃）下需达 18.2 兆欧以上，确保水中离子极低，避免影响半导体元器件性能；

2. TOC（总有机碳）：控制水中有机物污染，需≤0.5PPB，防止有机物干扰光刻精度，导致芯片质量下降；

3. 颗粒物：严格限制颗粒大小与数量，≥0.05 微米的颗粒物每升不超过 100 个，避免颗粒物造成光刻偏差或电路短路；

4. 溶解氧：需＜1PPB，防止溶解氧过高滋生细菌、形成氧化层，影响晶圆表面质量与芯片性能；

5. PH 值：需稳定在特定范围，避免酸碱失衡对晶圆清洗、化学品稀释等工艺造成不良影响。

二、半导体用水监测设备与方法：科学检测保精度

1. 颗粒物监测：采用液体粒子计数器，实时检测超纯水中颗粒物数量，确保清洁度符合生产要求；

2. 化学指标监测：借助在线电化学仪器，实时监测 TOC、电阻率、溶解氧、PH 值：

• TOC 与电阻率：通过专用在线分析仪，精度达 0.1PPB 级别，实时捕捉水质细微变化；

• 溶解氧：使用高灵敏度溶氧传感器，保障低浓度溶氧（＜1PPB）精准检测；

3. 集成监测系统：搭建在线实时监测系统，结合传感器与数据分析技术，实时传输数据至中控，同时支持远程监控与遥控，提升监测效率；

4. 超纯水制备监测：超纯水源自自来水，需经 ACF、UF、RO、EDI 等多级工艺预处理（TOC 降至 10-30PPB），再通过 TOC-UV 灯降至≤0.5PPB，全程需监测处理前后水质，确保达标。

三、监测周期与意义：动态管控降损耗

1. 监测周期：无固定标准，需根据生产工况、水质变化灵活调整，通常需每日定期采样检测，频次依据生产需求设定，确保及时发现水质波动；

2. 监测意义：

• 提前预警：及时发现水质异常（如 TOC 超标、溶解氧升高），避免因水质问题导致生产中断或产品不良；

• 保障质量：精准管控水质，适配晶圆冲洗、光刻、刻蚀、机械抛光等关键工艺，提升芯片良品率；

• 适配技术升级：随着半导体元器件尺寸缩小、精度提升，监测需同步升级设备精度与范围，满足更高水质要求。

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